| 发明名称 | 氮化镓结晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2，然后，在该二氧化硅薄膜2上，形成单晶硅薄膜3，再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。 | ||
| 申请公布号 | CN1202291C | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN98106378.0 | 申请日期 | 1998.04.09 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 油利正昭;上田哲三;马场孝明 |
| 分类号 | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38 | 主分类号 | C30B25/02 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 刘立平 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓结晶的制造方法，其特征在于，在硅衬底上，藉由氧的热处理形成非晶态二氧化硅薄膜，在该二氧化硅薄膜上形成单晶硅薄膜之后，再由气相外延生长法在上述硅薄膜上形成氮化镓。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||