真空场效应晶体管

摘要

本发明公开平面型/纵向型真空场效应晶体管(VFT)结构，采用类似MOSFET平面或纵向型结构，以提高集成度，并可以在较低的工作电压下高速运行。本平面型VFT包括由导体制成的源极和漏极，它们分开一段预定的距离而保持于一个薄的沟道绝缘体上，其间有真空沟道；由导体制成的栅极，它有一定宽度，形成于所述源极和漏极的下面，所述沟道绝缘体的作用在于使栅极与源极和漏极绝缘；绝缘主体，用作支撑沟道绝缘体和栅极的基片。纵向型真空场效应晶体管，包括：导电的连续圆形源极，它具有空着的中心，形成于沟道绝缘体上；形成于所述沟道绝缘体下面并延伸跨过所述源极的导电的栅极；绝缘主体，用作支撑所述栅极和沟道绝缘体的基片；安装在所述源极上方的绝缘壁，形成闭合的真空沟道；形成于所述真空沟道上方的漏极。两种类型中都将适当的偏压加在栅极、源极和漏极之间，使电子能够从源极经所述真空沟道被场致发射到漏极。

主权项

1.一种平面型真空场效应晶体管，它包括：由导体制成的源极和漏极，它们分开一段预定的距离而保持于一个薄的沟道绝缘体上，其间有真空沟道；由导体制成的栅极，它有一定宽度，形成于所述源极和漏极的下面，所述沟道绝缘体的作用在于使栅极与源极和漏极绝缘；绝缘主体，用作支撑沟道绝缘体和栅极的基片，其特征在于，在栅极、源极和漏极之间加给预定的偏压，以使电子能够从源极经所述真空沟道被场致发射到漏极。