| 主权项 |
1.一种半导体晶圆热处理装置,包含:用于加热一半导体晶圆至一预定温度的一加热板;用于测量放在该加热板且预先分成复数个区域之部分上的一半导体晶圆或一半导体晶圆同等物之温度之一第一温度测量单元;根据由该第一温度测量单元所测量的温度结果,以控制该加热板上各该等复数个区域之该半导体晶圆之温度之一第一控制器;用于冷却加热至该预定温度之该半导体晶圆之一冷却板;用于测量放在该冷却板且预先分成复数个区域之部分上的该半导体晶圆或该半导体晶圆同等物之温度之一第二温度测量单元;及根据由该第二温度测量单元所测量的温度结果,控制该冷却板上各该等复数个区域之该半导体晶圆之温度之一第二控制器。2.一种用于加热一半导体晶圆之半导体晶圆热处理方法,包含以下步骤:将一半导体晶圆同等物放在一加热板上,并在预先分成复数个区域之部分处测量该半导体晶圆同等物加热时的温度;及将一半导体晶圆放在该加热板上,并在加热该半导体晶圆的同时,根据该等温度的测量结果,于加热该半导体晶圆时控制各该等复数个区域的温度。3.一种用于加热一半导体晶圆之半导体晶圆热处理方法,包含以下步骤:将一半导体晶圆放在一加热板上,并在分成复数个区域之部分处测量该半导体晶圆加热时的温度,及在加热该半导体晶圆的同时,根据该等温度的测量结果,于加热该半导体晶圆时控制各该等复数个区域的温度。4.一种用于加热一半导体晶圆然后将其冷却之半导体晶圆热处理方法,包括以下步骤:将加热至一预定温度之一半导体晶圆同等物放在一冷却板上,及在分成复数个区域之部分处测量该半导体晶圆同等物冷却时的温度;将一半导体晶圆放在一加热板上,并将该半导体晶圆加热至该预定温度;及将加热至该预定温度之该半导体晶圆放在该冷却板上,并在冷却该半导体晶圆的同时,根据该等温度的测量结果,于冷却该半导体晶圆时控制各该等复数个区域的温度。5.一种用于加热一半导体晶圆然后将其冷却之半导体晶圆热处理方法,包括以下步骤:将一半导体晶圆放在一加热板上,并将该半导体晶圆加热至一预定温度;及将加热至该预定温度之该半导体晶圆放在一冷却板上,并在分成复数个区域之部分处测量该半导体晶圆冷却时的温度,然后在冷却该半导体晶圆的同时,根据该温度的一测量结果,于冷却该半导体晶圆时控制各该等复数个区域的温度。6.一种用于加热一半导体晶圆然后将其冷却之半导体晶圆热处理方法,包括以下步骤:将一半导体晶圆放在一加热板上,并在加热该半导体晶圆的同时在各区域上执行一温度控制;及将该加热的半导体晶圆放在一冷却板上,并在冷却该半导体晶圆的同时在各区域上执行一温度控制。7.如申请专利范围第6项之半导体晶圆热处理方法,其中在该加热及冷却步骤中所执行的温度控制致使该半导体晶圆之各自区域中温度之一积分値在一允许値之内。8.如申请专利范围第6项之半导体晶圆热处理方法,其中在该加热步骤中所执行之该半导体晶圆的温度控制系根据一半导体晶圆同等物放在该加热板上之各自区域中的温度测量结果。9.如申请专利范围第6项之半导体晶圆热处理方法,其中在该冷却步骤中所执行之该半导体晶圆的温度控制系根据一半导体晶圆同等物放在该冷却板上之各自区域中的温度测量结果。图式简单说明:图1为显示根据第一具体实施例之热处理装置的配置图;图2A为显示根据第二具体实施例之热处理装置的配置图;图2B为显示加热板部分的横截面图;图3为显示根据第三具体实施例之热处理装置的配置图;图4A为显示根据第四具体实施例之热处理装置的配置图;图4B为显示冷却板部分的横截面图;图5为显示根据习用范例之热处理装置的配置图;图6为习用范例之PEB程序中温度变化的轮廓;图7A至7C为标绘习用范例之半导体晶圆之各自位置所测量的PEB程序温度的图式;及图8A为显示当PEB处理温度为线宽70nm之隔离图案中最高温度时的线宽及为最低温度时的线宽的曲线图,及图8B为显示线宽90nm之线空间图案中相同线宽的曲线图,所有线宽计算均得自模拟。 |
