电致发光显示装置和电子装置

摘要

本发明之一目的乃在提供一种EL显示装置，其具有高操作效能和可靠度。第三保护膜45设置在EL元件203下方，该EL元件203包含一图素电极(阳极)46，一EL层47，和一阴极48，以形成由EL元件203所产生之热可辐射之构造。再者，第三保护膜45可防止在EL元件203内之硷性金属免于扩散入TFT侧，且防止TFT侧之湿气和氧气穿透EL元件203。更特别而言，提供热辐射效果至第四保护膜50以使EL元件由热辐射层所包围。

主权项

1.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;一中间层绝缘膜在该薄膜电晶体上;一钝化膜在该中间层绝缘膜上;和一电致发光元件在该钝化膜上,其中该钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一。2.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;一钝化膜在该薄膜电晶体上;和一电致发光元件接触该钝化膜,其中该钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一。3.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;第一中间层绝缘膜在该薄膜电晶体上;第一钝化膜在该第一中间层绝缘膜上;第二中间层绝缘膜,包含有机树脂在第一钝化膜上;第二钝化膜在第二中间层绝缘膜上;和一电致发光元件接触该第二钝化膜,其中第一和第二钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一。4.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;第一钝化膜在该薄膜电晶体上;一电致发光元件接触该第一钝化膜;和第二钝化膜在该电致发光元件上,其中第一和第二钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一。5.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;第一中间层绝缘膜在该薄膜电晶体上;第一钝化膜在该第一中间层绝缘膜上;第二中间层绝缘膜,包含有机树脂在第一钝化膜上;第二钝化膜在第二中间层绝缘膜上;一电致发光元件接触该第二钝化膜;和第三钝化膜在该电致发光元件上,其中第一和第二钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一。6.如申请专利范围第1项之电致发光显示装置,其中该电致发光显示装置选自由视频相机,数位相机,鱼眼型显示器,车辆导航系统,个人电脑,手提资讯终端,影像播放装置所组成之群之一。7.如申请专利范围第2项之电致发光显示装置,其中该电致发光显示装置选自由视频相机,数位相机,鱼眼型显示器,车辆导航系统,个人电脑,手提资讯终端,影像播放装置所组成之群之一。8.如申请专利范围第3项之电致发光显示装置,其中该电致发光显示装置选自由视频相机,数位相机,鱼眼型显示器,车辆导航系统,个人电脑,手提资讯终端,影像播放装置所组成之群之一。9.如申请专利范围第4项之电致发光显示装置,其中该电致发光显示装置选自由视频相机,数位相机,鱼眼型显示器,车辆导航系统,个人电脑,手提资讯终端,影像播放装置所组成之群之一。10.如申请专利范围第5项之电致发光显示装置,其中该电致发光显示装置选自由视频相机,数位相机,鱼眼型显示器,车辆导航系统,个人电脑,手提资讯终端,影像播放装置所组成之群之一。11.如申请专利范围第1项之电致发光显示装置,其中该钝化膜包含选自以氮化铝、碳化矽、氮化矽、氮化硼、磷酸硼,和氧化铝所组成之群之一。12.如申请专利范围第2项之电致发光显示装置,其中该钝化膜包含选自以氮化铝、碳化矽、氮化矽、氮化硼、磷酸硼,和氧化铝所组成之群之一。13.如申请专利范围第3项之电致发光显示装置,其中该钝化膜包含选自以氮化铝、碳化矽、氮化矽、氮化硼、磷酸硼,和氧化铝所组成之群之一。14.如申请专利范围第4项之电致发光显示装置,其中该钝化膜包含选自以氮化铝、碳化矽、氮化矽、氮化硼、磷酸硼,和氧化铝所组成之群之一。15.如申请专利范围第5项之电致发光显示装置,其中该钝化膜包含选自以氮化铝、碳化矽、氮化矽、氮化硼、磷酸硼,和氧化铝所组成之群之一。16.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;一中间层绝缘膜在该薄膜电晶体上;一钝化膜在该中间层绝缘膜上;和一电致发光元件在该钝化膜上,其中该钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一,和其中至少一薄膜电晶体包含两或多个通道区域串联连接之一主动层。17.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;一钝化膜在该薄膜电晶体上;和一电致发光元件接触该钝化膜,其中该钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一,和其中至少一薄膜电晶体包含两或多个通道区域串联连接之一主动层。18.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;第一中间层绝缘膜在该薄膜电晶体上;第一钝化膜在该第一中间层绝缘膜上;第二中间层绝缘膜,包含有机树脂在第一钝化膜上;第二钝化膜在第二中间层绝缘膜上;和一电致发光元件接触该第二钝化膜,其中第一和第二钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一,和其中至少一薄膜电晶体包含两或多个通道区域串联连接之一主动层。19.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;第一钝化膜在该薄膜电晶体上;一电致发光元件接触该第一钝化膜;和第二钝化膜在该电致发光元件上,其中第一和第二钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一,和其中至少一薄膜电晶体包含两或多个通道区域串联连接之一主动层。20.一种电致发光显示装置,包含:至少一薄膜电晶体在一基底上;第一中间层绝缘膜在该薄膜电晶体上;第一钝化膜在该第一中间层绝缘膜上;第二中间层绝缘膜,包含有机树脂在第一钝化膜上;第二钝化膜在第二中间层绝缘膜上;一电致发光元件接触该第二钝化膜;和第三钝化膜在该电致发光元件上,其中第一和第二钝化膜包含至少一元素选自以硼,碳,氮所组成之群之一,和至少一元素选自铝,矽,和磷之一,和其中至少一薄膜电晶体包含两或多个通道区域串联连接之一主动层。图式简单说明:图1为EL显示装置之图素部份之横截面构造图;图2A和2B分别为EL显示装置之图素部份之顶视图和组成图;图3A至3E为主动矩阵型EL显示装置之制造方法之图;图4A至4D为主动矩阵型EL显示装置之制造方法之图;图5A至5C为主动矩阵型EL显示装置之制造方法之图;图6为EL模组之外视图;图7为EL显示装置之电路方块构造图;图8为EL显示装置之图素部份之扩大图;图9为EL显示装置之取样电路之元件构造图;图10为EL显示装置之图素部份之组成图;图11为EL显示装置之横截面构造图;图12A和12B分别为EL显示装置之图素部份之顶视图和组成图;图13为EL显示装置之图素部份之横截面构造图;图14为EL显示装置之图素部份之横截面构造图;图15A和15B分别为EL显示装置之图素部份之顶视图和组成图;图16A至16F为电子设备之特殊例图;图17A和17B为EL模组之外视图;图18A至18C为接触构造之制造方法图;图19为EL层之叠层构造之图;图20A和20B为电子设备之特殊例图;图21A和21B为EL显示装置之图素部份之电路组成之图;图22A和22B为EL显示装置之图素部份之电路组成之图;和图23为EL显示装置之图素部份之横截面构造图。