发明名称 直流固态功率控制的方法及装置
摘要 本发明公开了一种直流固态功率控制的方法及装置,采用功率MOSFET(Metallic Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)为开关器件,通过计算机向直流固态功率控制器发出“开关”数字控制信号,再通过外部接口电路将数字控制信号转化为功率MOSFET的驱动开关信号,驱动MOSFET开关,从而达到控制主线路开通及关断的目的。直流固态功率控制器除了兼有机电式断路器在线保护和固态继电器高可靠性的特点外,还具有提供实时状态输出的特点,能够对阻性、感性和容性等各种负载实时的电压、电流、温度状态进行监测并作出处理。
申请公布号 CN1614840A 申请公布日期 2005.05.11
申请号 CN200410041985.9 申请日期 2004.09.11
申请人 合肥同智科技发展有限公司 发明人 张红;张雪峰
分类号 H02H3/08;H02H3/20;H03K17/687 主分类号 H02H3/08
代理机构 合肥华信专利商标事务所 代理人 余成俊
主权项 1、直流固态功率控制的方法,其特征在于:计算机发出“开通”或“关断”数字控制信号,此数字控制信号通过外部接口电路转化为功率MOSFET模块的驱动开关信号,驱动功率模块MOSFET开通或关断,从而使整个主线路开通或关断;直流负载输入功率MOSFET模块,功率MOSFET模块内部的电压检测/限幅电路对直流负载限幅后,输出直流到电流检测/限幅电路,将检测到的电压信号通过外部接口电路反馈到主控计算机,并将过压时产生的关断信号送入MOSFET驱动电路;功率MOSFET模块内部的电流检测/限幅电路对直流限幅后,输出直流,并且将检测到的电流信号通过外部接口电路反馈到主控计算机,同时将过流时产生的关断信号送入MOSFET驱动电路。
地址 230088安徽省合肥市高新区天智路216号