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发明名称 METHOD FOR FORMING CHARGE STORAGE ELECTRODE USING THICK POLY-SILICON LAYER AND CYLINDRICAL SIDEWALL SPACER
摘要
申请公布号 KR100490656(B1) 申请公布日期 2005.05.11
申请号 KR19970027856 申请日期 1997.06.26
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, CHAN DONG
分类号 H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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