| 主权项 |
1.一种导电性糊,系相对地包含有:(A)含有丙烯酸树脂及环氧树脂之树脂成分100重量份;(B)由含有至少1种熔点180℃以下之低熔点金属与至少1种800℃以上之高熔点金属之2种以上之金属所形成之金属粉200~1800重量份;(C)含有苯酚系硬化剂0.3~35重量份之硬化剂0.5~40重量份;及(D)助熔剂0.3~80重量份。2.如申请专利范围第1项之导电性糊,其中前述(A)成分,系由丙烯酸树脂及环氧树脂所形成。3.如申请专利范围第1项之导电性糊,其中前述(A)成分,系相对前述丙烯酸树脂及环氧树脂,以小于(A)成分之总量中40重量%的比率掺合选自于由醇酸树脂、蜜胺树脂及二甲苯树脂所形成之群组之1种或2种以上之树脂而成者。4.如申请专利范围第1项之导电性糊,其中前述(B)成分之低熔点金属,系单独为铟,或选自于由锡、铅、铋及铟所形成之群组之2种以上之合金。5.如申请专利范围第1项之导电性糊,其中前述(B)成分的高熔点金属,系选自于由金、银、铜、及镍所形成之群组之1种或2种以上之合金。6.如申请专利范围第1项之导电性糊,其中前述(C)成分,系选自于由苯酚系硬化剂、咪唑系硬化剂、阳离子硬化剂、及自由基系硬化剂所形成之群组之1种或2种以上之硬化剂所形成者。7.一种多层基板,系交替积层多数导电层与绝缘层而形成者,又,形成有贯通前述多层基板之通孔,且在该通孔充填如申请专利范围第1~6项中任一项之导电性糊,并藉加热将包含于前述导电性糊中之金属粉金属化。8.一种多层基板的制造方法,而该多层基板系交替积层多数导电层与绝缘层而形成者,又该制造方法系形成贯通前述多层基板之通孔,且在该通孔充填如申请专利范围第1~6项中任一项之导电性糊,并藉加热使前述导电性糊硬化。图式简单说明:第1图为显示本发明之多层基板之例之放大截面图。第2图为显示复合型之多层基板之例之模式放大截面图。第3图为显示习知技术之多层基板之例之模式放大截面图。第4图为显示以层叠化制造多层基板之方法之模式放大截面图。第5图(A)、(B)为显示低熔点金属粒子与高熔点金属粒子的金属化之模式截面图。 |
