| 主权项 |
1.一种可承受高电压及负电压的静电放电保护装置,连接至一积体电路内之一焊垫,该静电放电保护装置包括:一第一型基底;一第一型井区,设置于该第一型基底中,该第一型井区系为浮接(float);一第二型井区,设置于该第一型基底中,并隔开该第一型井区与该第一型基底,该第二型井区耦接至一第一电压线;一第二型第一掺杂区,设置于该第一型井区中,并耦接至一第二电压线;一第二型第二掺杂区,设置于该第一型井区中,并耦接至该焊垫;以及一隔离结构,设置于该第二型第一掺杂区以及该第二型第二掺杂区之间。2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该第一型为P型,则第二型为N型。3.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该第二型井区系以深第二型井所构成。4.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该第二型井区系以第二型埋入层以及高压第二型井所构成。5.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该隔离结构系为场氧化区(field oxide)。6.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该隔离结构系为浅沟隔离区(shallow trenchisolator)。7.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该第一电压线之电压为一系统电压,该第二电压线之电压为一接地电压。8.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该第一电压线与该第二电压线之电压皆为一系统电压。9.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中该第一电压线与该第二电压线之电压皆为一接地电压。10.一种可承受高电压及负电压的静电放电保护装置,用以保护一积体电路内之一内部电路,该内部电路具有至少一高压输出/入端以及至少一负压输出/入端,该静电放电保护装置包括:一第一型基底;一第一型第一井区,设置于该第一型基底中,该第一型第一井区系为浮接(float);一第二型第一井区,设置于该第一型基底中,并隔开该第一型第一井区与该第一型基底,该第二型第一井区耦接至一系统电压线;一第二型第一掺杂区,设置于该第一型第一井区中,并耦接至该系统电压线;一第二型第二掺杂区,设置于该第一型第一井区中,并耦接至该高压输出/入端;一第一隔离结构,设置于该第二型第一掺杂区以及该第二型第二掺杂区之间;一第一型第二井区,设置于该第一型基底中,该第一型第二井区系为浮接;一第二型第二井区,设置于该第一型基底中,并隔开该第一型第二井区与该第一型基底,该第二型第二井区耦接至一接地电压线;一第二型第三掺杂区,设置于该第一型第二井区中,并耦接至该接地电压线;一第二型第四掺杂区,设置于该第一型第二井区中,并耦接至该负压输出/入端;以及一第二隔离结构,设置于该第二型第三掺杂区以及该第二型第四掺杂区之间。11.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护装置,其中该第一型为P型,则第二型为N型。12.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护装置,其中该第二型第一井区以及该第二型第二井区皆以深第二型井所构成。13.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护装置,其中该第二型第一井区以及该第二型第二井区皆以第二型埋入层以及高压第二型井所构成。14.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护装置,其中该第一隔离结构以及该第二隔离结构皆为场氧化区(field oxide)。15.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护装置,其中该第一隔离结构以及该第二隔离结构皆为浅沟隔离区(shallow trench isolator)。图式简单说明:图1是依照本发明一较佳实施例绘示之一种可承受高电压及负电压的静电放电保护装置电路结构图。图2是依照本发明另一较佳实施例绘示的一种可承受高电压及负电压的静电放电保护装置电路图。 |
