| 摘要 |
<p>Zur Erhöhung der Singlemodeleistung eines oberflächenemittierenden Halbleiterlasers mit vergrabenem Tunnelkontakt, bei dem die Tunnelkontaktschicht (6) eine Apertur mit einem Aperturdurchmesser (w1) und einer Aperturtiefe (d1) aufweist und von einer n-dotierten Stromführungsschicht (7) bedeckt ist, so dass die angrenzende Stromführungsschicht (7) im Bereich der Apertur eine Überhöhung (15) mit einem Überhöhungsdurchmesser (w2) und einer Überhöhungstiefe (d2) aufweist, wird eine Struktur vorgeschlagen, bei der auf der Stromführungsschicht (7) zumindest um den lateralen Bereich der Überhöhung (15) herum eine struktuierte Schicht (8; 9) vorgesehen ist, deren Dicke (d3; d4) derart gewählt ist, dass deren optische Dicke mindestens gleich der optischen Dicke der Stromführungsschicht (7) im Bereich der Überhöhungstiefe (d2) ist.</p> |
