为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件

摘要

本发明涉及为半导体器件提供具有在控制电极(3)与第一和第二主电极延伸(4，5)之间的受控重叠的控制电极结构的而不必使用许多隔离物的方法。另外，该方法提供深腐蚀绝缘层(2)的步骤。该步骤是在无定形化和注入主电极延伸(4，5)之后执行的，因为使延伸(4，5)无定形化的步骤也使绝缘层(2)部分无定形化。因为无定形绝缘体与晶体绝缘体的蚀刻率不同，这可以用作自然的蚀刻挡板以使重叠可更好地细调节。本发明还提供了相应的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：沉积在半导体基片(1)上的绝缘层(2)，沉积在绝缘层(2)上的控制电极(3)，半导体基片1中与所述控制电极(3)重叠的第一主电极延伸(4)和第二主电极延伸(5)，所述绝缘层(2)包括相对于控制电极(3)靠近第一电极延伸(4)和/或靠近第二主电极延伸(5)的凹槽(8，9)，所述凹槽的深度在0.5和5毫微米之间。