| 主权项 |
1.一种SiC单晶的成长方法,其特征为6H型多型(polytype)的SiC单晶之成长方法,其中曝露{01-14}面、或曝露对{01-14}面仅倾斜约10以下之离角的面之SiC单晶所成的晶种上,使6H型多型的SiC单晶成长为,微管线到达该6H型多型之SiC单晶的侧面,而该微管线未到达该表面之高度。2.如申请专利范围第1项的SiC单晶成长方法,其中使该6H型多型的SiC单晶成长为,该6H型多型的SiC单晶内的层叠缺陷到达该侧面,而未到达该表面之高度。3.如申请专利范围第1项的SiC单晶成长方法,其中该离角为5以下者。4.如申请专利范围第1项的SiC单晶成长方法,其中该离角为3以下者。5.一种SiC单晶的成长方法,其特征为于石墨制的坩锅内使SiC原料粉末昇华,在设置于该坩锅内的晶种上,使6H型多型的SiC单晶进行再结晶的SiC单晶成长方法中,作为该晶种使用曝露{01-14}面、或曝露对{01-14}面仅倾斜约10以下之离角的面之SiC单晶,使该6H型多型的SiC单晶成长为,微管线到达该6H型多型之SiC单晶的侧面,而该微管线未到达该表面之高度。6.如申请专利范围第5项的SiC单晶成长方法,其中使该6H型多型的SiC单晶成长为,该6H型多型的SiC单晶内的层叠缺陷到达该侧面,而未到达该表面之高度。7.一种SiC单晶,其特征为经由如申请专利范围第1项至第6项中任一项之SiC单晶成长方法所成长者。8.一种SiC单晶,其特征为6H型多型的SiC单晶,其{01-14}面、或对{01-14}面仅倾斜约10以下之离角的面为曝露面,该曝露面上未出现微管线者。9.如申请专利范围第8项之SiC单晶,其中该曝露面上未出现层叠缺陷。10.一种SiC单晶成长方法,其特征为成长6H型多型的SiC单晶之方法,其由曝露{01-14}面、或对{01-14}面仅倾斜约10以下之离角的面之SiC单晶,所成的直径L上的晶种上,6H型多型的SiC单晶成长至高度为Ltan35.26以上。11.如申请专利范围第10项之SiC单晶成长方法,其中该6H型多型的SiC单晶,成长至高度为Ltan54.74以上。图式简单说明:图1表示使本发明的SiC单晶进行成长的结晶成长装置截面图。图2表示说明SiC单晶的(01-14)面所使用的图。图3表示SiC单晶内的微管线以及堆积缺陷的状态图。图4表示表面由{01-14}面成仅离角倾斜的晶种。 |
