发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristalls
摘要
申请公布号 DE69916177(T2) 申请公布日期 2005.04.14
申请号 DE1999616177T 申请日期 1999.05.26
申请人 DENSO CORP., KARIYA 发明人 OKAMOTO, ATSUTO;SUGIYAMA, NAOHIRO;TANI, TOSHIHIKO;KAMIYA, NOBUO;WAKAYAMA, HIROAKI;FUKUSHIMA, YOSHIAKI;HARA, KAZUKUNI;HIROSE, FUSAO;ONDA, SHOICHI;HARA, KUNIHIKO;ONODA, TAKASHI;KURIYAMA, HARUYOSHI;HASEGAWA, TAKESHI
分类号 C30B23/00;C30B33/00 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人
主权项
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