| 发明名称 | 射频磁控溅射法制备γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底的方法 | ||
| 摘要 | 一种射频磁控溅射法制备γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底的方法，先合成制备γ－LiAlO<SUB>2</SUB>靶材，然后利用射频磁控溅射法在α－Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或硅等单晶衬底上制备γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜，本发明的射频磁控溅射法制备γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底的工艺简单、易操作，此种具有γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1603457A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410067894.2 | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 夏长泰;王银珍;周圣明;张连翰;徐军 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/08 | 主分类号 | C23C14/35 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种射频磁控溅射法制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，其特征是先制备γ-LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射法在α-Al2O3或硅衬底上形成γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||