发明名称 利用雷射二极体幅射之雷射热处理
摘要 一种利用一二维阵列的雷射二极体来进行雷射热处理(LTP)以形成一扫描横越一基材的线影像之方法及装置。此装置包括一二维阵列的雷射二极体,来自该二维阵列的雷射二极体之辐射利用一圆柱形透镜阵列准直在一平面中,并利用一歪像性远心光学成像系统成像在基材上成为一线影像。此装置亦包括一扫描基材阶台以支撑一基材进行LTP处理。雷射二极体辐射束对于给定的基材材料及经线性P偏振之辐射束的波长系以处于或接近布鲁斯特角(Brewster’s angle)之角度入射在基材上。利用一二维雷射二极体阵列,可使得一相对较高能量密度的经偏振辐射束输送至基材,藉以具有良好均匀度之LTP处理、合理的短停顿时间、且因此具有合理的高产出率。
申请公布号 TW200512996 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW093126353 申请日期 2004.09.01
申请人 乌翠泰克股份有限公司 发明人 塔瓦 瑟密特;马克里
分类号 H01S5/30 主分类号 H01S5/30
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国