| 主权项 |
1.一种旁通(by-passing)爆冲气体之装置,该装置包括:反应室,系用以进行化学气相沈积程序,以形成化合物于晶圆之上表面,其中该晶圆系放置于该反应室中;加热器,系用以使该晶圆达到进行该化学气相沈积程序所需之温度;加压器,系用以控制该反应室之压力;第一管路,系连接于该反应室,使氮气经由该第一管路流入并充满该反应室中,其中在该第一管路上具有第一控制阀;以及第二管路,系连接于该反应室,使矽甲烷经由该第二管路流入并充满该反应室中,其中在该第二管路上具有第二控制阀;其特征在于:旁通管路,系与该第二管路相接互通且在该旁通管路上具有第三控制阀,其中该旁通管路与该第二管路之相接处系位于该矽甲烷流经该第二控制阀之前,当开启该第一控制阀的同时,打开该第三控制阀,使爆冲入该第二管路中之该矽甲烷经由该旁通管路排出该第二管路,以避免该矽甲烷爆冲入该反应室。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一控制阀被开启时,位于该第一管路中之该氮气会流入该反应室中。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中进行该化学气相沈积程序之温度为摄氏380~420度。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中进行该化学气相沈积程序之压力为3.8~4.6托耳。5.一种避免形成金属/矽复合物于晶圆上表面而导致电流泄漏之装置,该装置包括:反应室,系用以进行化学气相沈积程序,以形成化合物于晶圆之上表面,其中该晶圆系放置于该反应室中,且在该晶圆上之介电层中具有金属导线结构;加热器,系用以使该晶圆达到进行该化学气相沈积程序所需之温度;加压器,系用以控制该反应室之压力;第一管路,系连接于该反应室,使氮气经由该第一管路流入并充满该反应室中,其中在该第一管路上具有第一控制阀;第二管路,系连接于该反应室,使矽甲烷经由该第二管路流入并充满该反应室中,其中在该第二管路上具有第二控制阀;旁通管路,系与该第二管路相接互通且在该旁通管路上具有第三控制阀,其中该旁通管路与该第二管路之相接处系位于该矽甲烷流经该第二控制阀之前;以及氮气管路,系与该第二管路相接互通且在该氮气管路上具有第四控制阀;其特征在于:当开启该第一控制阀的同时,打开该第三控制阀,使爆冲入该第二管路中之该矽甲烷经由该旁通管路排出该第二管路,之后关闭该第三控制阀并打开该第四控制阀,使经由该氮气管路流出之氮气与流量已呈稳定之该矽甲烷均匀混和后再流入该反应室中,以避免该矽甲烷爆冲入该反应室,而与该金属导线结构中所含之金属相互作用,而产生金属/矽复合物于该金属导线结构与部分该介电层上表面,进而造成该金属导线结构间产生电流泄漏情形。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该金属为铜。7.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该金属/矽复合物为铜/矽复合物。8.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该第一控制阀被开启时,位于该第一管路中之该氮气会流入该反应室中。9.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该第四控制阀被开启时,位于该氮气管路中之该氮气会流入该第二管路中。10.如申请专利范围第5项所述之装置,其中进行该化学气相沈积程序之温度为摄氏380~420度。11.如申请专利范围第5项所述之装置,其中进行该化学气相沈积程序之压力为3.8~4.6托耳。图式简单说明:第一图为半导体晶片之截面图,显示根据传统技术形成开口图案与孔洞图案于晶圆上方介电层中之步骤;第二图为半导体晶片之截面图,显示根据传统技术形成金属导线结构于介电层中之步骤;第三图为传统技术所使用之化学气相沈积程序装置示意图,显示装置各组成元件间之连结关系;第四图为半导体晶片之截面图,显示根据传统技术形成氮化矽膜于金属导线结构与部分介电层上表面之步骤;第五图为矽甲烷气体之流量与时间关系图,显示矽甲烷在刚开始流入化学气相程序装置时之高流动波峰情形;第六图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明形成金属导线结构之步骤;第七图为本发明所使用之化学气相沈积程序装置示意图,显示装置各组成元件间之连结关系;第八图为本发明另一实施例之之化学气相沈积程序装置示意图,显示装置各组成元件间之连结关系;以及第九图为利用习知技艺与本发明后电流漏泄情况之比较。 |
