具有能带工程建构超晶格半导体元件之制作方法

摘要

利用形成一超晶格而制作半导体元件之方法，其中超晶格包含有复数个堆叠的层群组。本发法亦包含形成可导致电荷载体于平行于堆叠层群组的方向上传输通过超晶格的区域。超晶格的每一个层群组各包含有界定了一个基底半导体部份的复数个的堆叠基底半导体单层，以及其上之一能带修改层。能带修改层包含有限定于相邻基底半导体部份的一晶体晶格内的至少一个非半导体单层，以使超晶格在平行方向上具有比无此构造存在时为高的电荷载体动性。超晶格中亦可包含一个共同能带构造。