| 主权项 |
1.一种产生场电子放射材料之方法,包括以下步骤:a.施加氧化矽前趋物于石墨粒子;b.加工该氧化矽前趋物以产生非晶质氧化矽其为经掺杂及/或严重缺陷者;及c.置该石墨粒子于基材之导电表面,其至少部分被覆以该非晶质氧化矽。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该石墨粒子系形成于该导电表面成有如粒子之隆起或尖头。3.如申请专利范围第1项之方法,其中包括以下步骤:a.混合该石墨粒子与该氧化矽前趋物形成第一混合物;b.施加该第一混合物于该导电表面;及然后c.加工该第一混合物以产生该石墨与该非晶质氧化矽之第二混合物。4.如申请专利范围第1项之方法,其中包括以下步骤:a.混合该石墨粒子与该氧化矽前趋物形成第一混合物;b.加工该第一混合物产生该石墨粒子与该非晶质氧化矽之第二混合物;及然后c.施加该第二混合物于该基材之该导电表面。5.如上述申请专利范围任一项之方法,其中该氧化矽前趋物,该第一混合物或该第二混合物系以旋转过程施加于该导电表面。6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物,该第一混合物或第二混合物系以喷涂过程施加于该导电表面。7.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物,该第一混合物或该第二混合物系以印刷过程施加于该导电表面。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该印刷过程系喷墨印刷过程。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该印刷过程系网版印刷过程。10.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物,该第一混合物或该第二混合物系以剥除过程施加于该导电表面之选定位置。11.如申请专利范围第1项至第4项之方法,其中该氧化矽前趋物,该第一混合物或该第二混合物系液态墨料之形式。12.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物包括溶胶-凝胶。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该溶胶-凝胶系以原矽酸四乙酯合成。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该溶胶-凝胶包括异丙醇溶剂中之氧化矽。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该溶胶-凝胶包括异丙醇溶剂中之氧化矽并添加有丙酮。16.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物系可溶前趋物。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧化矽前趋物系可溶聚合物前趋物。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该可溶聚合物包括矽个半氧烷聚合物。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该矽个半氧烷聚合物包括溶剂中之-氯乙基矽个半氧烷。20.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物包括胶体氧化矽之分散液。21.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物,该第一混合物或该第二混合物系乾色剂之形式。22.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该非晶质氧化矽或其前趋物系掺杂以金属化合物或金属阳离子。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该金属化合物系硝酸盐或有机金属化合物。24.如申请专利范围第22项之方法,其中该非晶质氧化矽系藉氧化锡或氧化铟锡掺杂。25.如申请专利范围第22项之方法,其中该非晶质氧化矽系藉铁及/或锰化合物掺杂。26.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物之加工包括加热。27.如申请专利范围第26项之方法,其中该加热系藉雷射进行。28.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物之加工包括曝露于紫外线。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该曝露系以预定之图案为之。30.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该石墨粒子包括碳奈米管。31.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该石墨粒子包括被覆或装饰以石墨之非石墨粒子。32.如申请专利范围第31项之方法,其中该石墨系定向为曝露其棱面。33.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法,其中该氧化矽前趋物之加工系使各该粒子有一层非晶质氧化矽,置于该导电表面与该粒子间之第一位置,及/或该粒子与该环境间之第二位置,场电子放射材料即置于该环境中,以使电子放射部位系形成于至少部分之该第一及/或第二位置。34.一种场电子放射子,其包含由申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法所产生的场电子放射材料。35.一种场电子放射装置,其包含申请专利范围第34项之场电子放射子,以及使该放射子处于电场中而致其放射电子之构件。36.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中包括有该场电子射极区域之阵列的基材,及有对齐阵列之孔口的控制电极,控制电极系藉绝缘层固定于射极区域上。37.如申请专利范围第36项之场电子放射装置,其中该孔口系缝隙形式。38.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中包括电浆反应器,电晕放电装置,无声放电装置,臭氧化器,电子源,电子枪,电子装置,X-线管,真空计,充气装置或离子推进器。39.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中该场电子射极供给该装置之总操作电流。40.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中该场电子射极供给该装置之起始、触发或发动电流。41.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中包括显示装置。42.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中包括灯。43.如申请专利范围第42项之场电子放射装置,其中该灯实质上系平的。44.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中该射极系经用以限制电流之镇流电阻连接于电驱动机构。45.如申请专利范围第44项之场电子放射装置,其中包括有该场电子射极区域阵列之基材,及有孔口阵列之控制电极,控制电极系藉绝缘层固定于射极区域上,且其中该镇流电阻系作为电阻垫片位于各该射极区域下。46.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中该射极材料及/或萤光粉系被覆于一或以上之导电迹的一维阵列上,导电迹系排列成可藉电子驱动机构定址以使产生扫描照明线。47.如申请专利范围第46项之场电子放射装置,其中包含该电子驱动机构。48.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中该场射极系置于气态、液态、固态、或真空之环境中。49.如申请专利范围第35项之场电子放射装置,其中包括阴极,系光学上半透明并系相对于阳极排列使放射自阴极之电子撞击阳极以造成在阳极之电场发光,其电场发光透过该光学上半透明之阴极而可见。图式简单说明:第1图示一MIMIV场放射材料;第2a图及2b图示二替代阴极之电压一电流特征;第3a及3b图各示第2a及2f图之阴极的放射影像以为比较;第4图示一阴极之放射影像;及第5a及5c图示利用所揭示于此之材料的各场放射装置例。 |
