基底制造方法以及基底处理装置

摘要

首先制备具有厚SOI层之SOI基底。之后，使用不超过单一晶格厚度之单元预设厚度而将该SOI层薄化至标的膜厚度。此薄化系藉由重复一单元薄化步骤而执行，该单元薄化步骤包括将SOI层表面氧化一不超过单一晶格之表面的氧化步骤，以及将由该氧化所形成之氧化矽选择性移除之移除步骤。该SOI之SOI层系藉由将化学溶液供应至SOI层而化学蚀刻，且量测该经蚀刻SOI层之膜厚度。当SOI层之所量测膜厚度具有预设厚度时，而结束对于该SOI层之化学蚀刻处理。