半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种形成于一半导体基板上之闸极介电膜；一闸极电极包括：一形成于该闸极介电膜上之第一电极层，一形成于该第一电极层上之介电膜，其厚度大于等于5并小于等于100，以及一形成于该介电膜上之第二电极层；以及一形成于该半导体基板主该闸极电极两侧之一源极与汲极区域。