| 主权项 |
1.一种电压移转电路,包括:一输入控制电路,接收具有一低准位电压源之一控制信号,来产生一反相控制信号;一高准位电压供应电路,提供一高准位电压源;以及一压降电路,系位于该输入控制电路与该高准位电压开关电路之间,该压降电路包括一高准位控制元件与一低准位控制元件,该高准位控制元件提供压降作用,以保护该低准位控制元件,该低准位控制元件由该控制信号或该反相控制信号控制开关切换,以驱动该高准位电压供应电路之高准位电压源作为输出。2.如申请专利范围第1项所述之电压移转电路,其中,该输入控制电路具有一第一开关元件与一第二开关元件,该第一开关元件与该第二开关元件系不同时导通(ON)及不同时关闭(OFF)。3.如申请专利范围第2项所述之电压移转电路,其中,该第一开关元件及该第二开关元件系为一低准位控制金氧半场效电晶体(MOS)。4.如申请专利范围第1项所述之电压移转电路,其中,该高准位电压供应电路具有一第三开关元件及一第四开关元件,该第三开关元件与该第四开关元件系不同时导通及不同时关闭。5.如申请专利范围第4项所述之电压移转电路,其中,该第三开关元件及该第四开关元件系为高准位控制P型金氧半场效电晶体。6.如申请专利范围第1项所述之电压移转电路,其中该压降电路之高准位控制元件包括一第五开关元件及一第六开关元件,该第五开关元件与第六开关元件为高压型之N型金氧半场效电晶体。。7.如申请专利范围第1项所述之电压移转电路,其中该压降电路之低准位控制元件包括一第七开关元件与一第八开关元件,该第七开关元件与该第八开关元件为一般电压型之N型金氧半场效电晶体。8.如申请专利范围第1项所述之电压移转电路,其中该压降电路更包括一第九开关元件与一第十开关元件,介于该高准位控制元件与该低准位控制元件之间,用以进一步提供压降作用,该第九开关元件与该第十开关元件为一般电压型之N型金氧半场效电晶体。9.如申请专利范围第1项所述之电压移转电路,其更包括一第一输出电路与一第二输出电路,该第一输出电路与该第二输出电路系与连接于该高准位电压供应电路与该压降电路之间,俾供由该第一输出电路及该第二输出电路分别产生一输出信号。10.如申请专利范围第9项所述之电压移转电路,其中,该第一输出电路所产生之输出信号系与该第二输出电路所产生之输出信号反相。图式简单说明:图1习知电压移转电路之示意图。图2系本发明一较佳实施例之电压移转电路之示意图。 |
