| 发明名称 | 压电单晶元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种积极地利用与极化方向直交的方向(横向振动模式)的机电耦合系数(k<SUB>31</SUB>)的压电单晶元件(器件)。具体而言，其特征是：极化方向(3)为赝立方晶的〔001〕轴时，压电元件端面的法线方向，相对于与畴结构直交的方向(n)，处在0～15°或40～50°的范围内，其中，该畴结构存在于包含与极化方向(3)直交的〔010〕及〔100〕轴的结晶平面内。 | ||
| 申请公布号 | CN1574408A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410045750.7 | 申请日期 | 2004.05.21 |
| 申请人 | 川铁矿业株式会社 | 发明人 | 松下三芳;岩崎洋介 |
| 分类号 | H01L41/18;H01L41/22 | 主分类号 | H01L41/18 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种压电单晶元件，极化方向为赝立方晶的〔001〕轴时，具有良好的横向的振动模式的机电耦合系数k31，压电元件端面的法线方向与极化方向直交；压电元件端面的法线方向相对于与畴结构直交的方向，处在0～15°或40～50°的范围内，该畴结构存在于包含与极化方向直交的〔010〕及〔100〕轴的结晶平面内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||