发明名称 | 光电元件 | ||
摘要 | 提供一种由硅基非单晶半导体构成、设置含有至少一个p/n型接合的发电层的光电元件,上述发电层的p/n型接合部界面中具有氮浓度成为最大的峰值,而且该氮浓度为1×10<SUP>18</SUP>原子/厘米<SUP>3</SUP>~1×10<SUP>20</SUP>原子/厘米<SUP>3</SUP>。这种光电元件的光电转换效率高且可靠性高。 | ||
申请公布号 | CN1186823C | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
申请号 | CN02142586.8 | 申请日期 | 2002.06.28 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 保野笃司 |
分类号 | H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/04 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王杰 |
主权项 | 1.光电元件,是具有由硅基非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件彼此p/n型接合并层压得到的光电元件,特征在于,在上述p/n型接合的接合界面上,氮浓度具有最大峰值,而且该峰值氮浓度为1×1018原子/厘米3~1×1020原子/厘米3。 | ||
地址 | 日本东京 |