半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件(半导体模块)及其制造方法。半导体模块具备在SiC衬底上、能够个别地工作的区段1(半导体元件)。区段1具备：设置在SiC衬底主面侧上源电极焊接区2及栅电极焊接区3和设置在SiC衬底的背面侧上的漏电极焊接区。具备用于使相邻接的区段1彼此之间电隔离的沟槽、肖特基二极管等元件隔离区。仅仅将经检查确认是合格品的区段1的电极焊接区2、3连接在电极端子41、43上。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于：具备：由宽禁带宽度半导体构成的有源区；具有至少2个施加工作用电压的电极焊接区、能够相互独立地工作的多个半导体元件；多个电极端子；用于电连接上述多个半导体元件中至少一部分的特定的多个半导体元件的各电极焊接区和上述多个电极端子的多个连接部件，上述特定的多个半导体元件相互并联工作。