| 发明名称 | 铁电薄/厚膜微机电致冷器的制备方法及其结构以及致冷器系统 | ||
| 摘要 | 一种新型结构与致冷途径的铁电薄/厚膜微机电(MEMS)致冷器的制备方法以及微型致冷器系统，其中制备方法包括用作致冷片的PMN－PT和PST－PT弛豫性外延铁电薄/厚膜的制备过程，以及铁电薄/厚膜微型MEMS致冷器阵列的制备过程两个部分；还有致冷器的热绝缘结构以及铁电薄/厚膜微机电(MEMS)致冷器系统，在该系统中，当待致冷器件温度升高时，红外辐射增强，经光调制器斩波后由精度达±0.01℃的热释电红外传感器探测到物体温度变化信号，并转化为微弱电信号，再经信号处理电路放大和数字处理后，通过驱动电源控制电路来控制铁电薄/厚膜致冷片的致冷量，信号再反馈回到待致冷器件使其工作于最佳温度范围。这种微型冷却系统广泛应用于MEMS器件与系统大规模集成电路芯片的局部致冷，能够达到高致冷效率和热传导效率，同时具有低成本、微型化、低功耗和高集成度等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1566863A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN03137669.X | 申请日期 | 2003.06.19 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 李艳秋;刘少波 |
| 分类号 | F25B21/00 | 主分类号 | F25B21/00 |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种铁电薄/厚膜微机电致冷器的制备方法，其特征在于包括用作致冷片的PMN-PT和PST-PT弛豫性外延铁电薄/厚膜的制备过程，以及铁电薄/厚膜微型微机电(MEMS)致冷器阵列的制备过程两个部分，其中：该弛豫性外延铁电薄/厚膜的制备过程又分为两个程序，一个是采用射频磁控溅射技术制备厚度为0.4～1μm的外延铁电薄膜，另一个是采用粉末Sol-Gel技术制备厚度为2～50μm的0-3型外延铁电厚膜； | ||
| 地址 | 100080北京市中关村北二条6号 | ||