| 发明名称 | 平板显示器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及平板显示器的制造方法，能以高可靠性制造像素区的TFT和扫描区的TFT，它包括以下步骤：在包含有像素区和驱动区的基片上形成非晶硅薄膜，通过激光束的照射从形成在驱动区的非晶硅薄膜中脱氢，而不照射形成在像素区的非晶硅薄膜，并且激光束的进一步照射，晶化形成在驱动区的非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜变成多晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1185532C | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN01809414.7 | 申请日期 | 2001.04.11 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 野口隆;碓井節夫;中嵨英晴 |
| 分类号 | G02F1/136;G09F9/30;H01L29/78;H01L21/20 | 主分类号 | G02F1/136 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.一种平板显示器的制造方法，包括下列步骤：在包含有像素区和驱动区的基片上形成非晶硅薄膜；通过激光束的照射从形成在驱动区的非晶硅薄膜中脱氢，而不照射形成在像素区的非晶硅薄膜；通过激光束的进一步照射，晶化形成在驱动区的非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜变成多晶硅薄膜，其中在脱氢的步骤中，照射在形成于驱动区的非晶硅薄膜上的激光束的能量密度被设置为不小于350mJ/cm2并且不大于450mJ/cm2，其中在晶化步骤中，照射在形成于驱动区的非晶硅薄膜上的激光束的能量密度被设置在450mJ/cm2到650mJ/cm2之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||