| 摘要 |
一种蚀刻基底之方法，包括以下步骤。首先，在一制程区域中放置一基底，其中该基底包括具有一厚度之一材料，并且该材料具有介于图案化罩幕之特征图案之间之多数个暴露区域。接着，导入一蚀刻气体到该制程区域中。接着，提供能量给该蚀刻气体，以蚀刻该材料。之后，藉由(i)从该基底反射一光线，该光线具有一波长，该波长被选择以在该基底中具有为该材料之厚度之1.5倍到4倍之一相干长度(coherent length)。以及，(ii)侦测该反射光，来决定蚀刻该基底之该材料之一终点。此外，透过选择该光线之该波长，可以将一吸收差异极大化，其中该吸收差异为介于图案化罩幕中光线之吸收与在该材料中光线之吸收之间之一差异。 |
