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发明名称 Epitaxieverfahren auf einem Siliciumsubstrat mit durch Arsen hochdotierten Gebieten
摘要
申请公布号 DE69821560(T2) 申请公布日期 2005.01.05
申请号 DE19986021560T 申请日期 1998.07.28
申请人 STMICROELECTRONICS S.A., MONTROUGE 发明人 DUTARTRE, DIDIER;JERIER, PATRICK
分类号 C30B29/06;C23C16/24;C30B25/02;C30B25/20;H01L21/205;(IPC1-7):C30B25/02 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
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