具有折叠式闸极之沟渠电容动态随机存取记忆体

摘要

本发明系揭露一种具有折叠式闸极之沟渠电容动态随机存取记忆体的结构，其包含有一主动区域岛部，包含一水平表面及一垂直侧壁；以及一开关电晶体，设于该主动区域岛部之转角部位。该开关电晶体包含有一折叠闸极，由该主动区域岛部之该水平表面延伸至该垂直侧壁，一源极，设于该主动区域岛部之该水平表面内，一汲极，设于该主动区域岛部之该垂直侧壁上，以及一闸极氧化层，设于该折叠闸极与该主动区域岛部之间。该源极与该汲极之间定义出一折叠通道。该沟渠电容DRAM胞之结构上包含有一沟渠电容，设于该折叠闸极之下方，藉由一沟渠上氧化(TTO)层与该折叠闸极隔离，并且经由该汲极与该开关电晶体电性连接。