发明名称 光罩图案
摘要 一种光罩图案,形成于一基板上,此一光罩图案系由主图案以及反相次解析辅助图案所组成,其中反相次解析辅助图案系位于主图案侧边。而反相次解析辅助图案包括一第一辅助图案以及一第二辅助图案,而第一辅助图案系接近主图案,其中第一辅助图案与主图案之相位差为180度,第二辅助图案则是远离主图案,且相邻于第一辅助图案,其中第二辅助图案与第一辅助图案之相位差为180度。由于主图案旁有反相的辅助图案,所以可增加其曝光时的解析度。
申请公布号 TWI225965 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092113045 申请日期 2003.05.14
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林金隆;杨春晖;洪文田
分类号 G03F1/00;H01L21/027 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种光罩图案,形成于一基板上,其图案包括: 一主图案;以及 至少一反相次解析辅助图案,位于该主图案之侧边 ,其中各该反相次解析辅助图案包括: 一第一辅助图案,接近该主图案配置,其中该第一 辅助图案与该主图案之相位差为180度;以及 一第二辅助图案,远离该主图案配置,且相邻于该 第一辅助图案,其中该第二辅助图案与该第一辅助 图案之相位差为180度。 2.如申请专利范围第1项所述之光罩图案,其中该主 图案之相位为180度。 3.如申请专利范围第2项所述之光罩图案,更包括一 遮蔽层,配置于该主图案以外的该基板上,以及配 置于最远离该主图案之该反相次解析辅助图案的 该第一辅助图案以外的该基板上。 4.如申请专利范围第1项所述之光罩图案,更包括一 遮蔽层,位于该基板上,其中该遮蔽层具有一开口, 暴露出该主图案以及该至少一反相次解析辅助图 案。 5.如申请专利范围第1项所述之光罩图案,其中该第 一辅助图案与该第二辅助图案的尺寸相同。 6.如申请专利范围第1项所述之光罩图案,其中该至 少一反相次解析辅助图案包括交替型相移式光罩 。 7.如申请专利范围第1项所述之光罩图案,其中该基 板包括石英基板。 8.一种光罩图案,位于一基板上,包括: 复数个主图案; 至少一第一反相次解析辅助图案,位于该些主图案 之间,各该第一反相次解析辅助图案包括单数个数 个辅助图案,其中 单数的该些辅助图案与该些主图案之相位差为180 度;以及 双数的该些辅助图案与该些主图案之相位差为0度 ;以及 复数个第二反相次解析辅助图案,位于该些主图案 之外侧,其中每一第二反相次解析辅助图案包括: 一第一辅助图案,接近该些主图案配置,其中该第 一辅助图案与该些主图案之相位差为180度;以及 一第二辅助图案,远离该些主图案配置,且相邻于 该第一辅助图案,其中该第二辅助图案与该第一辅 助图案之相位差为180度。 9.如申请专利范围第8项所述之光罩图案,其中该些 主图案之相位为180度。 10.如申请专利范围第9项所述之光罩图案,更包括 一遮蔽层,配置于该些主图案以外的该基板上、配 置于该至少一第一反相次解析辅助图案以外的该 基板上以及配置于最远离该些主图案之该些第二 反相次解析辅助图案的该第一辅助图案以外的该 基板上。 11.如申请专利范围第9项所述之光罩图案,更包括 一遮蔽层,位于该基板上,其中该遮蔽层具有一开 口,暴露出该些主图案、该至少一第一反相次解析 辅助图案以及该些第二反相次解析辅助图案。 12.如申请专利范围第9项所述之光罩图案,其中该 第一辅助图案与该第二辅助图案的尺寸相同。 13.如申请专利范围第9项所述之光罩图案,其中该 至少一第一反相次解析辅助图案以及该些第二反 相次解析辅助图案包括交替型相移式光罩。 14.如申请专利范围第9项所述之光罩图案,其中该 基板包括石英基板。 图式简单说明: 第1A图系依照本发明之一第一实施例之光罩图案 的上视示意图; 第1B图是本发明之光罩图案沿第1A图中I-I'方向的 剖面示意图; 第2A图系依照本发明之一第二实施例之光罩图案 的上视示意图; 第2B图是本发明之光罩图案沿第2A图中II-II'方向的 剖面示意图;以及 第3图系利用习知之铬膜光罩图案与本发明之第一 实施例的光罩图案进行曝光所测得的光强度与图 案位置之关系图。
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