| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE SUR PUCE DE HAUTES PERFORMANCES |
| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de fabrication de puce contenant un circuit intégré. Ce procédé comprend les étapes suivantes : on réalise un premier substrat (1) contenant des composants actifs (3) ainsi qu'un second substrat (2) contenant des composants passifs « critiques » (c'est à dire des composants passifs dont l'élaboration directement sur le substrat contenant les circuits actifs et les interconnexions métalliques poserait problème), puis l'on scelle les deux substrats (1) et (2). Ces composants actifs (3) peuvent par exemple être des transistors. Ces composants passifs « critiques » peuvent par exemple être des MEMS (8) et/ou des condensateurs (7), notamment des condensateurs dont le matériau diélectrique est une pérovskite. L'invention concerne également une puce (100) fabriquée au moyen d'un procédé selon l'invention. |
| 申请公布号 |
FR2856844(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.31 |
| 申请号 |
FR20030007617 |
申请日期 |
2003.06.24 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
JOLY JEAN PIERRE;ULMER LAURENT;PARAT GUY |
| 分类号 |
B81B7/00;B81B7/02;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/822;H01L21/98;H01L25/16;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/822 |
主分类号 |
B81B7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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