自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法

摘要

一种自蔓延高温合成氮化硅镁(MgSiN₂)粉体的制备方法，属于陶瓷材料制备领域。本发明是由镁粉与氮化硅粉按摩尔比3.0～4.0∶1混合，或加入少量卤化物添加剂，在1～10MPa的氮气或者氮气与氢气(95～98％∶5～2％)的混合气中反应制备的。在生产过程中，不需预先压块，反应是在碳毡制的直立环状筒或盘状容器中进行。本发明采用自蔓延高温合成工艺，与文献报道相比，不仅具有无环境污染、能耗低、适合工业大规模生产的优点，而且合成产物的纯度高，氧含量可控制为＜0.5％，适用于制备高强度、高导热氮化硅和氮化铝陶瓷基板材料和微电子封装材料的添加剂等。

主权项

1.一种MgSiN2粉体的合成方法，包括配料、混合和氮化工艺过程，其特征在于：(1)以α-Si3N4粉末和镁粉为原料，按Si3N4和Mg的摩尔比为3.0～4.0∶1均匀混合；(2)将步骤(1)的混合均匀的反应混合物，以粉末形式按0.65～1.28g/cm3的松装密度装入碳毡制的容器中，然后装入高压容器中进行自蔓延高压合成；反应气体压力为1～10MPa，反应时间为2～10分钟；合成后自然冷却。