| 发明名称 | 场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 通过低处理温度获得一种高品质的MOS界面和体绝缘特性。本发明的场效应晶体管的制造方法在形成成为有源层的半导体层后，(1)把衬底温度设置在100℃以下形成栅极绝缘膜，以及(2)在含水气氛中热处理栅极绝缘膜。通过在含水气氛中进行热处理，减少绝缘膜界面附近的OH结合，可提高CV特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1182570C | 申请公布日期 | 2004.12.29 |
| 申请号 | CN01141245.3 | 申请日期 | 2001.09.04 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 东清一郎;安部大介 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/285;H01L21/324;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成成为有源层的半导体层的工序；把衬底温度设置在100℃以下，在所述半导体层上形成栅极绝缘膜的工序；在含水的气氛中热处理所述栅极绝缘膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||