| 发明名称 |
Verfahren zur Bildung eines flachen Übergangs in einem Halbleiter-Bauelement |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19722112(B4) |
申请公布日期 |
2004.12.16 |
| 申请号 |
DE19971022112 |
申请日期 |
1997.05.27 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
LEE, KIL HO;YU, SANG HO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/22;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8234;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/823;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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