发明名称 一种Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基化合物纳米线及其制备方法
摘要 本发明公开的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基化合物纳米线的组分和含量为:由Sb或/和Bi元素和Se或/和Te元素按原子比为1.9~2.1∶2.9~3.1的比例形成的p型或n型Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基化合物,占材料总原子百分比的95~100%;掺杂元素原子Sn、Pb、I、Br、Al或Li中的一种或几种,占材料总原子百分比的0~5%。其制备采用水热或溶剂热方法,具有工艺设备简便、成本低廉、合成温度低、周期短、产物纯度高、可控性好等优点。
申请公布号 CN1554574A 申请公布日期 2004.12.15
申请号 CN200310122821.4 申请日期 2003.12.21
申请人 浙江大学 发明人 赵新兵;吉晓华;张艳华
分类号 C01B19/04 主分类号 C01B19/04
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
主权项 1.一种Bi2Te3基化合物纳米线,其特征是它的组分和含量如下:由Sb或/和Bi元素和Se或/和Te元素按原子比为1.9~2.1∶2.9~3.1的比例形成的p型或n型Bi2Te3基化合物,占材料总原子百分比的95~100%;掺杂元素原子Sn、Pb、I、Br、Al或Li中的一种或几种,占材料总原子百分比的0~5%。
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