| 摘要 |
本发明提供一种MRAM，其具有可确实达成构成隧道磁阻(TMR)元件各层之平坦化，且可赋予电性连接TMR元件与选择用电晶体之连接孔高度可靠性之构造。TMR型之MRAM具有：选择用电晶体TR；第一连接孔23；第一配线(写入字线RWL)；覆盖第一层间绝缘层21及第一配线RWL之第二层间绝缘层25；形成于第二层间绝缘层25上之TMR元件30；形成于第三层间绝缘层26上之第二配线(位元线)；及设于第二层间绝缘层25，而与第一连接孔23连接之第二连接孔52；TMR元件30另一端之延伸部37之端面与第二连接孔52连接。 |
