发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 一种半导体器件的制造方法,在一揽子地同时进行倒装芯片接合和树脂密封的工序中,在用超声波振动把在芯片上形成的突点电连到布线基板的焊盘上,同时,对上述芯片与上述布线基板之间进行树脂密封时,消除导通不良以提高可靠性。在用超声波振动把在芯片1上形成的突点3或焊盘倒装芯片接合到布线基板10的焊盘4或焊盘之上的突点上,同时,在上述芯片与上述布线基板之间形成树脂密封体时,在硬化前的低粘度区域中使突点3贯通树脂密封用树脂5。采用在使突点从密封用树脂贯通后再连接到焊盘上的办法,就可以充分地确保其连接性。
申请公布号 CN1551323A 申请公布日期 2004.12.01
申请号 CN200410038137.2 申请日期 2004.05.08
申请人 株式会社东芝 发明人 桐谷美佳;田久真也;饭冢和宏
分类号 H01L21/607;H01L21/56 主分类号 H01L21/607
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1.一种半导体器件的制造方法,在一揽子地进行通过突点电极把半导体芯片和布线基板电连起来的倒装芯片接合和树脂密封的半导体器件的制造方法中,其特征在于:在借助于超声波振动控制树脂密封用树脂的粘度使上述突点电极贯通上述树脂密封用树脂的同时,用上述超声波振动,把上述突点电极电连到上述半导体芯片或上述布线基板的别的突点电极上,或者电连到上述半导体芯片的连接电极或上述布线基板的连接电极中的任何一者上。
地址 日本东京都