半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包含用于提供PT-IEBT或IEGT结构的第1基极层，该结构包括缓冲层和在缓冲层中提供的集电极层。由在缓冲层中的由SR分析得到的激活的第1导电型杂质浓度[cm^-2]/在缓冲层中的由SIMS分析得到的第1导电型杂质浓度[cm^-2]定义的第1激活率给定为25％或更大，由在集电极层中的由SR分析得到的激活的第2导电型杂质浓度[cm^-2]/在集电极层中的由SIMS分析得到的第2导电型杂质浓度[cm^-2]定义的第2激活率给定为大于0％和等于或小于10％。

主权项

1.一种半导体器件，它包含具有第1导电型的第1基极层，所述第1基极层具有第1和第2表面并进一步具有高电阻；具有第2导电型的在所述第1表面上的第2基极层；具有所述第1导电型的在所述第2基极层中的发射极层；通过在位于所述发射极层和所述第1基极层之间的所述第2基极层上面的栅极绝缘膜的栅极电极；具有所述第1导电型并进一步具有高杂质浓度的在所述第2表面中形成的缓冲层；由在所述缓冲层中的由SR分析得到的激活的第1导电型杂质浓度[cm-2]/在所述缓冲层中的由SIMS分析得到的第1导电型杂质浓度[cm-2]定义的第1激活率，该第1激活率为25％或更大；具有所述第2导电型的在所述缓冲层中的集电极层；和由在所述集电极层中的由SR分析得到的激活的第2导电型杂质浓度[cm-2]/在所述集电极层中的由SIMS分析得到的第2导电型杂质浓度[cm-2]定义的第2激活率，该第2激活率大于0％，等于或小于10％。