| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Siliziumsubstrat mit positiven Ätzprofilen mit definiertem Böschungswinkel, erhältlich durch Ätzen des Siliziumsubstrates, das mit einer Maske abgedeckt ist und den folgenden Schritten DOLLAR A a) isotropes Ätzen des Siliziumsubstrates, wobei die Maskenunterätzung u annähernd gleich der Ätztiefe Ķt¶ ist, DOLLAR A b) Vergrößern der Ätztiefe durch anisotropes Ätzen mit alternierend aufeinanderfolgenden Ätz- und Polymerisationsschritten, wobei die Maskenunterätzung konstant bleibt und die Ätzfront einen neuen Verlauf erhält, und mit diesem Schritt die Seitenwände der Struktur mit einem Polymer belegt werden, DOLLAR A c) Entfernen des Polymers von der Struktur und DOLLAR A d) Wiederholen der Schritte a) bis c), bis das vorgegebene Ätzprofil erreicht ist. DOLLAR A Ein Verfahren ist beschrieben. |
