| 主权项 |
1.一种光学总成结构,其用于一垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)阵列至一电路板之连结,包含:一VCSEL晶粒,其包含该VCSEL阵列,该阵列被晶粒上部表面上的金属化结合缝环绕;一精密光学转换单元,在其底部含有一相对应结合缝相对应该VCSEL晶粒上之金属化结合缝及其上部表面上之第一被动调准结构阵列,该转换单元含有光学转换装,用于转换自该VCSEL阵列所发射之光射线;及一可插拔光学连接器,其具有插于其孔洞内之一光学传送单元,在其底部表面上与该光学转换单元该上部表面上该被动调准结构阵列相配之一连锁插座阵列及在其上部表面上用于与电路板相配之一第二被动调准结构阵列。2.如申请专利范围第1项之总成结构,其中该光学转换单元系透镜,其将由该VCSEL阵列所发射之光射线聚焦至该光学转换单元。3.如申请专利范围第1项之总成结构,其中该VCSEL阵列及该光学转换单元已经被结合在一起。4.如申请专利范围第3项之总成结构,其中该VCSEL阵列及该光学转换单元已经在一结合温度下被结合在一起,以致在该VCSEL晶粒上之第一面积匹配在该转换单元上之相对应第二面积。5.如申请专利范围第4项之总成结构,其中该结合温度小于摄氏230度。6.如申请专利范围第1项之总成结构,其中包含该VCSEL晶粒及该光学转换单元之一模组插入该光学连结器,因此该模组在制造后可以被替换。7.如申请专利范围第3项之总成结构,其中包含该VCSEL晶粒及该光学转换单元之一模组插入该光学连结器,因此该模组在制造后可以被替换。8.如申请专利范围第7项之总成结构,其中该光学连接器包含一被动光学路由器,适用于连接至该电路板上的一组光学传送组件。9.如申请专利范围第8项之总成结构,其中该光学传送组件包含在电路板中所形成之波导。10.一种制造一光学总成结构之方法,该结构将含有VCSEL阵列之VCSEL晶粒连结至一电路板,该方法包含步骤有:提供一含有该VCSEL阵列之VCSEL晶粒,该阵列被其上部表面上之一金属化结合缝环绕;提供一光学转换单元,其包含在其底部上对应该VCSEL晶粒上该金属化结合缝之一对应结合缝及在其上部表面上被配置与该VCSEL阵列相对准之第一被动调准结构阵列,该转换单元包含光学转换装置,其用于将自该VCSEL阵列所发射之光射线转换;将该光学总成及该光学转换单元结合形成一光源模组;且将该光源模组插入一可插拔光学连接器,其具有一被插入其孔中之光学操纵单元,在其下表面之一连扣插座阵列,与该光学转换单元该上表面之该被动对准结构相配,及在其上表面上用于与该基板相配的第二被动对准结构,因此该光学模组可以被取代。11.如申请专利范围第10项之方法,尚包含在该结合步骤之前测试该VCSEL阵列之步骤。12.如申请专利范围第10项之方法,尚包含在该结合步骤之后测试该光学模组之步骤。13.如申请专利范围第11项之方法,尚包含在插入该光学模组之前测试该光学操纵单元之步骤。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该结合步骤包含在该结合缝上所沉积之金属的回焊。15.如申请专利范围第10项之方法,其中该VCSEL阵列及该光学转换单元已经在结合温度下被结合在一起,以致在该VCSEL晶粒上的第一面积与该转换单元的第二面积相符合。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该结合温度小于摄氏230度。图式简单说明:图1A至3B以平面及侧面视图显示本发明第一实施例中之层。图4以部分绘画地、部分概念地显示本发明第二实施例之外形。 |
