自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法

摘要

本发明是关于一种自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法。该形成方法包括：先在基底中形成浅沟渠隔离结构，以定义出主动区；然后，在基底上形成包含有顶盖层的闸极结构，且闸极结构与浅沟渠隔离结构及主动区垂直；之后，在闸极结构至少一侧壁上形成氧化物间隙壁；接着，在基底上方形成共形的衬层，以覆盖闸极结构、氧化物间隙壁与浅沟渠隔离结构；继之，在基底上形成层间介电层，以覆盖共形的衬层；然后图案化层间介电层，以定义出自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口。本发明还揭露了自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构。其使闸极顶部顶盖层厚度降低，使自行对准接触窗开口与无边界接触窗开口的深宽比降低，而可提高蚀刻制程有效制程窗尺寸。

主权项

1、一种自行对准接触窗(Self-Aligned Contact，SAC)开口/无边界接触窗开口的形成方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底中形成一浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation，STI)结构，以定义出一主动区；在该基底上形成包含有一氧化物顶盖层的一闸极结构，且该闸极结构是与该浅沟渠隔离结构及该主动区垂直；在该闸极结构的一侧壁上形成一氧化物间隙壁；在该基底上形成一共形的衬层，以覆盖该闸极结构、该氧化物间隙壁与该浅沟渠隔离结构；在该基底上形成一层间介电层(Inter-Layer Dielectric，ILD)，以覆盖该共形的衬层；以及图案化该层间介电层，以定义出一自行对准接触窗开口/无边界触窗开口。