发明名称 |
通过对相对于沟道区域的微结构的自觉偏移提高多晶薄膜晶体管器件之间均匀性的方法 |
摘要 |
制作一种有均匀微结构的多晶硅薄膜晶体管的方法。一种示例的方法要求接纳一个有晶粒结构的多晶硅薄膜,该结构至少在一个第一方向上是周期性的,并且在接纳的薄膜上放置一个或多个薄膜晶体管的至少一些部分(410,420),因此它们相对于该薄膜的周期性结构倾斜。 |
申请公布号 |
CN1547626A |
申请公布日期 |
2004.11.17 |
申请号 |
CN02816797.X |
申请日期 |
2002.08.27 |
申请人 |
纽约市哥伦比亚大学托管会 |
发明人 |
J·S·艾姆;P·C·范德维尔特 |
分类号 |
C30B13/00 |
主分类号 |
C30B13/00 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
李家麟 |
主权项 |
1.一种制作一种包括两个或多个有基本均匀微结构的薄膜晶体管的器件的方法,其特征在于,包括步骤:(a)接纳一个有一个晶粒结构的多晶硅薄膜,该结构至少在一个第一方向上是周期性的;和(b)在所述接纳的薄膜上放置两个或多个薄膜晶体管中的至少一些部分,该接纳的薄膜相对于所述薄膜的周期结构倾斜一个角度,因此在所述部分的任何一部分中长晶粒边界数基本保持均匀。 |
地址 |
美国纽约州 |