用于在接触窗(CW)孔活性离子蚀刻过程期间降低氧气扩散至接点插塞的侧壁结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于在一FeRAM元件的一铁电电容器之CW孔活性离子蚀刻过程期间降低氧气扩散至接点插塞之侧壁氧气扩散障壁及该侧壁氧气扩散障壁之制造方法。一实施例中，侧壁障壁由一基材篱栅形成，另一实施例中，侧壁障壁由一氧气障壁回蚀形成。