| 主权项 |
1.一种用于将一真空固持力施加至一物件之操作器,该操作器包含:一体部,其具有复数个开口位准,该等复数个开口位置包括一固持表面位准及一吸力表面位准,其中该吸力表面位准之开口大于该固持表面位准之开口,尚且其中该吸力表面位准之开口系与该固持表面位准之至少一部份开口呈现流体导通。2.如申请专利范围第1项之操作器,其中该固持表面位准之开口的频率系大于该吸力表面位准之开口的频率。3.如申请专利范围第2项之操作器,其中该与固持表面位准的至少一部份开口直接流体导通之吸力表面位准的至少一部份开口系藉由将该等开口对准而直接流体导通,进一步包含互连开口,其用于将并未藉由该等开口对准而直接流体导通之固持表面位准的开口加以互相连接。4.如申请专利范围第2项之操作器,其进一步包含介于该固持表面位准与该吸力表面位准之间的至少一中间位准,其中该中间位准之开口系大于该固持表面位准之开口且小于该吸力表面位准之开口。5.如申请专利范围第4项之操作器,其中该中间位准之开口的频率系大于该吸力表面位准之开口的频率。6.如申请专利范围第5项之操作器,其中该与中间位准的至少一部份开口流体导通之吸力表面位准的至少一部份开口系藉由将该等开口对准而直接流体导通,且该与固持表面位准的至少一部份开口流体导通之中间位准的至少一部份开口系藉由将该等开口对准而直接流体导通,进一步包含互连开口,其用于将并未藉由该等开口对准而直接流体导通之该中间位准及该固持表面位准之开口加以互相连接。7.如申请专利范围第1项之操作器,其进一步包含至少一该等开口中之至少一微型机械阀。8.如申请专利范围第1项之操作器,其由选自于由下列所构成的群组中之一材料所形成:金属、合金、半导体材料、陶瓷、及包含至少一上述材料之组合物。9.如申请专利范围第1项之操作器,其由选自于由下列所构成的群组中之一半导体材料所形成:矽、Ⅲ-Ⅴ型半导体、Ⅱ-Ⅳ型半导体、Ⅱ-Ⅵ型半导体、Ⅳ-Ⅵ型半导体、Ge、C、矽氧化物、矽氮化物、及包含至少一上述半导体材料之组合物。10.一种制造根据申请专利范围第1项之操作器之方法,其包含堆叠图案层以在各位准形成开口,其中将一受图案化的层选择性黏附至一支撑层、将该图案层加以图案化及自该支撑层移除该图案层,藉以提供各图案层。11.一种制造根据申请专利范围第3项之操作器之方法,其中体部之复数个位准中至少一者系由一或多个图案层所形成,其中将该等层图案化以在各位准形成开口。12.如申请专利范围第11项之方法,其中将一受图案化的层选择性黏附至一支撑层、将该图案层加以图案化及自该支撑层移除该图案层,藉以提供各图案层。13.一种用于将一真空固持力施加至一物件之操作器,包含:一操作器体部,其具有一厚度;一固持表面,其具有复数个孔以将真空力传递至一物件;及一真空表面,其具有供一真空源使用之至少一孔,该等固持表面孔具有适于利用一真空固持力来固持易碎物件之直径,其中从该等复数个固持表面孔到该至少一真空表面孔形成真空路径,该等真空路径的构造、定位及尺寸系可降低流过该等真空路径的气体之阻抗。14.如申请专利范围第13项之操作器,其中该操作器体部的厚度对于固持表面孔的直径之比値系为约107至约102。15.如申请专利范围第13项之操作器,其中该操作器体部的厚度对于固持表面孔的直径之比値系为约106至约103。16.如申请专利范围第13项之操作器,其中该操作器体部的厚度对于固持表面孔的直径之比値系为约105至约104。17.一种用于处理一薄膜之方法,包含:提供一受处理的第一薄膜;将该第一薄膜连接至根据申请专利范围第13项之操作器;及利用该操作器作为一暂时基材以处理该第一薄膜。18.如申请专利范围第17项之方法,其进一步包含将该薄膜自该操作器切断连接。19.如申请专利范围第18项之方法,其进一步包含提供一受处理的第二薄膜、将该第二薄膜连接至该操作器及利用该操作器作为一暂时基材以处理该第二薄膜。图式简单说明:第1A图为一种包括一操作器的系统相对于一受操作物件及一真空源之示意图;第1B图为一种包括一操作器的系统相对于一受操作物件及一真空源之剖视图;第2图为根据一实施例之一操作器的剖视图;第3A及3B图为第2图的操作器分别在位准n及n+1之拓朴结构图;第4图为根据另一实施例之一操作器的剖视图;第5图为根据另一实施例之一操作器的剖视图;第6图为根据另一实施例之一操作器的剖视图;第7图为根据另一实施例之一操作器的剖视图;第8图为根据另一实施例之一操作器的剖视图;第9A-9D图显示用于制造操作器之方法的一实施例;第10A-10B图显示一包括微型泵之操作器的一范例;及第11A-11B图显示一包括微型泵之操作器的另一范例。 |
