| 主权项 |
1.一种导电凸块的形成方法,包含:提供一晶圆,具有一第一金属层于一表面上;以电镀法形成一第二金属层于该金属层上;将该晶圆移入一乾蚀刻反应室中;于该第二金属层上,提供具有一凸块图形的罩幕;以及以该罩幕为遮罩,蚀刻该第一金属层为复数个球底金属层,及该第二金属层为复数个导电凸块。2.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的形成方法,其中该第二金属层为金、铜、镀有焊锡(solder)的金、镀有焊锡的铜、或焊锡。3.如申请专利范围第2项所述之导电凸块的形成方法,其中该焊锡更包含无铅的(lead-free)焊锡。4.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的形成方法,其中该罩幕为金属、玻璃、陶瓷材料、或有机聚合物。5.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的形成方法,其中该罩幕不接触该导电层。6.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的形成方法,其中该导电层系为溅击蚀刻法所蚀刻。7.如申请专利范围第6项所述之导电凸块的形成方法,其中该溅击蚀刻法中所使用的反应气体为氢气、氦气、或氮气其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的形成方法,其中该导电层系为反应离子蚀刻法所蚀刻。9.如申请专利范围第8项所述之导电凸块的形成方法,其中反应离子蚀刻法所使用的反应气体包含四氟化碳(CF4)与氩气、氦气、或氮气其中之一。10.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的形成方法,其中该导电层系为纯化学反应的电浆蚀刻法所蚀刻。11.如申请专利范围第10项所述之导电凸块的形成方法,其中纯化学反应的电浆蚀刻法所使用的反应气体包含四氟化碳(CF4)。12.如申请专利范围第2项所述之导电凸块的形成方法,其中该层为焊锡时,更包含对该导电凸块执行一重流之步骤,成为大体为球形的导电凸块。图式简单说明:第1A-1F图为一系列之剖面图,系显示一习知形成导电凸块的方法。第2A-2D图为一系列之剖面图,系显示揭露于中国台湾专利公告第489420号之铝凸块的形成方法。第3A-3G图为一系列之剖面图,系显示本发明较佳实施例之导电凸块的形成方法的流程。 |
