| 摘要 |
一种具以下化学式I之多金属氧化物Aga-bMbV2Ox*c H2O I其中M为自以下所组成之族群中所选出：Li,Na,K,Rb, Cs,Tl,Mg,Ca,Sr,Ba,Cu,Zn,Cd,Pb,Cr,Au,Al,Fe,Co,Ni及/或Mo，a为0.3至1.9及b为0至0.5，但其差(a-b)≧0.1，及c为0至20，及x为化学式I中氧以外元素之价数及数量所决定之数，该氧化物具结晶结构，其产生之X-射线粉末绕射图样，在以下晶格间隔d时显示反射：15.23±0.6，12.16±0.4，10.68±0.3，3.41±0.04，3.09±0.04，3.02±0.04，2.36±0.04及1.80±0.04。也揭示自其制成，用于芳族烃部份氧化作用之预触媒及触媒。 |
| 主权项 |
1.一种具以下化学式Ⅰ之多金属氧化物 AgaV2Ox*cH2O Ⅰ 其中, a为0.3至1.9,及 c为0至20,及 x为化学式Ⅰ中氧以外元素之价数及数量所决定之 数, 该氧化物具结晶结构,其产生之X-射线粉末绕射模 式,在以下晶格间隔d时显示反射:15.230.6,12.160.4,10 .680.3,3.410.04,3.090.04,3.020.04,2.360.04及1.800.04 。 2.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其具有纤 维状结晶形态,其纤维直径与纤维长度之平均比为 小于0.6。 3.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其具有之 比表面积,以BET方法测定,为3至250平方米/克。 4.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其中a为0. 5至1.0及c为0至5。 5.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其中a为0. 6至0.9及c为0至1。 6.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其具以下 化学式 AgaV2Ox*cH2O, 其中a为0.6至0.9,x为如申请专利范围第1项之定义及 c为0至5。 7.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其X-射线 粉末绕射图样在指定晶格间隔d[]时显示以下17 个反射: 8.如申请专利范围第7项之多金属氧化物,其反射1 至17具有以下大约相对强度(Ire1[%]): 9.一种制备如申请专利范围第1项之多金属氧化物 之方法,其包含将悬浮于液体之五氧化二钒与银盐 溶液予以加热,并将产物分离。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中所用液体系 水。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中多金属氧化 物系藉喷雾乾燥或过滤及烘乾分离。 12.如申请专利范围第1项之多金属氧化物,其系用 以制造供芳族烃气相部份氧化用之预触媒及触媒 。 13.一种预触媒,其系用于制造芳族烃藉由包含分子 氧之气体之气相部份氧化用之经涂覆触媒;该预触 媒包含惰性、非多孔载体材料及施加于其上呈外 壳形式之一或多层,其中此些外壳状层包含自30至 100重量%之如申请专利范围第1项之多金属氧化物 。 14.如申请专利范围第13项之预触媒,其惰性,非多孔 载体材料包含块滑石。 15.如申请专利范围第13项之预触媒,其外壳状层包 含30至100重量%之如申请专利范围第2项之多金属氧 化物,以此层之总重为准。 16.如申请专利范围第13项之预触媒,其外壳状层包 含30至100重量%之如申请专利范围第3项之多金属氧 化物。 17.如申请专利范围第13项之预触媒,其外壳状层包 含30至100重量%之如申请专利范围第6项之多金属氧 化物,以此层之总重为准。 18.一种经涂覆触媒,其系用于芳族烃藉由包含分子 氧之气体之气相部分氧化作用;该经涂覆触媒包含 惰性,非多孔载体材料之触媒载体及施涂于其上包 含催化活性组合物之一层或多层;该催化活性组合 物包含,以其总重为准,30至100重量%之一或多种具Ag :V原子比为0.15至0.95之氧化银-钒青铜且具BET表面 积为2至100平方米/克。 19.如申请专利范围第18项之经涂覆触媒,其已使用 如申请专利范围第1项之多金属氧化物制备。 20.如申请专利范围第18项之经涂覆触媒,其已自如 申请专利范围第13项之预触媒制备。 21.一种藉由芳族烃以气相部分氧化制备羧酸及/或 羧酸酐之方法,其系藉由包含分子氧之气体于高温 下通过催化活性组合物,以外壳形式施涂于包含惰 性非多孔载体材料之触媒载体上之触媒,其中所用 触媒系催化活性组合物,以其总量为准,包含30至100 重量%之一或多种具Ag:V原子比为0.15至0.95之氧化银 -钒青铜具BET表面积为2至100平方米/克之经涂覆触 媒,在有或无至少一种有别于上述经涂覆触媒且其 催化活性组合物包含五氧化二钒及锐钛矿作为有 效催化活性成分,供芳族烃氧化成羧酸及/或羧酸 酐用之经涂覆触媒存在下,及若有此第二种经涂覆 触媒存在,其系在反应器中与具上述组成之经涂覆 触媒组成合并触媒床使用。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中系利用催化 活性组合物,以其总量为准,包含30至100重量%具Ag:V 原子比为0.15至0.95之氧化银-钒青铜且具BET表面积 为2至100平方米/克,且已自如申请专利范围第13项 之预触媒在氧化反应器中就地制备之经涂覆触媒 。 23.如申请专利范围第21项之方法,其中靠近氧化反 应器气体入口端之第一触媒床所用之经涂覆触媒 系催化活性组合物包含,以其总重量为准,30至100重 量%具Ag:V原子比为0.15至0.95且具BET表面积为2至100 平方米/克之经涂覆触媒,及靠近氧化反应器气体 出口端之随后触媒床所用之经涂覆触媒系催化活 性组合物包含五氧化二钒及锐钛矿作为有效成分, 供芳族烃氧化成羧酸及/或羧酸酐用之经涂覆触媒 。 24.如申请专利范围第21项之方法,其中作为芳族烃 之邻-二甲苯或或邻-二甲苯与之混合物系经 氧化成苯二酸酐。 25.如申请专利范围第21项之方法,其中作为芳族烃 的甲苯系经氧化成苯甲酸。 图式简单说明: 图1显不根据本发明之含HNO3触媒之X射线粉末绕射 图谱。 图2显示根据本发明之含6b触媒之X射线粉末绕射图 谱。 |
