| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括一有源层，其形成于一绝缘衬底上，且其中形成有沟道区、源极区和漏极区，其中一电压被施加到该沟道区上以释放在该沟道区中产生的热载流子。 | ||
| 申请公布号 | CN1542986A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN200410042055.5 | 申请日期 | 2004.04.29 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 崔炳德;裵晟植;金元植 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136;G09F9/30 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：一有源层，其形成于一绝缘衬底上，且具有形成在其中的沟道区、源极区和漏极区；其中，电压被施加到该沟道区上，从而释放该沟道区中产生的热载流子。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||