| 发明名称 | 浅槽隔离层的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种浅槽隔离层的制作方法，在基底中形成槽。然后，进行热氧化制程，以在槽表面形成热氧化层。随后，在蚀刻气体中利用远程电浆分解三氟化氮以产生氟自由基，再以此蚀刻气体对热氧化层进行蚀刻，以去除部分热氧化层，使高宽比降低。然后，形成一层绝缘层覆盖在基底上以填满槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1540739A | 申请公布日期 | 2004.10.27 |
| 申请号 | CN03122160.2 | 申请日期 | 2003.04.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李宗哗;张炳一 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种浅槽隔离层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底中形成槽；在该槽表面形成热氧化层；利用含氟自由基蚀刻气，对该热氧化层进行蚀刻制程，以此去除部分该热氧化层；以及在该槽中填入绝缘层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||