METHOD FOR THE PRODUCTION OF A BIPOLAR TRANSISTOR

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einem darin eingebetteten, nach oben freiliegenden Kollektorbereich (25) eines ersten Leitungstyps (n); Vorsehen eines monokristallinen Basisgrundbereichs (30; 32; 120) ; Vorsehen eines Basisanschlussbereichs (40; 160) des zweiten Leitungstyps (p) über dem Basisbereich (30; 32, 34; 120, 130); Vorsehen eines Isolationsbereichs (35; 35''; 170) über dem Basisanschlussbereich (40; 160); Bilden eines Fensters (F) im Isolationsbereich (35; 35''; 170) und Basisanschlussbereich (40; 160) zum zumindest teilweisen Freilegen des Basisbereichs (30; 32, 34; 120, 130); Vorsehen eines isolierenden Seitenwandspacers (55'; 80; 180) im Fenster zum Isolieren des Basisanschlussbereichs (40; 160; differentielles Abscheiden und Strukturieren einer Emitterschicht (60a, 60b), welche oberhalb des Basisbereichs (30; 32, 34; 120, 130) einen monokristallinen Emitterbereich (60a) und oberhalb des Isolationsbereich (35; 35''; 170) und des Seitenwandspacers (55'; 80; 180) einen polykristallinen Emitterbereich (60a) bildet; und Durchführen eines Temperschritts.