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发明名称
透过补偿氮不均匀性形成氧化物/氮化物层叠之方法
摘要
一种形成要求结合特定数量之氮的极薄绝缘层之方法,其中,由于在氮结合期间及/或在氮结合之后系执行氧化制程,故可令遍及该基材表面的氮变化效应随之减少。氮变化致使氮浓度取决于氧化速率,并且因此,氮浓度取决于绝缘层之厚度变化。尤其,包括用作为闸极绝缘层的薄绝缘层之电晶体临界变化可有效的降低。
申请公布号
TW200421492
申请公布日期
2004.10.16
申请号
TW093103873
申请日期
2004.02.18
申请人
高级微装置公司
发明人
威斯妥 卡斯汀;葛瑞克 法可;赫曼 卢兹
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
美国
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