发明名称 透过补偿氮不均匀性形成氧化物/氮化物层叠之方法
摘要 一种形成要求结合特定数量之氮的极薄绝缘层之方法,其中,由于在氮结合期间及/或在氮结合之后系执行氧化制程,故可令遍及该基材表面的氮变化效应随之减少。氮变化致使氮浓度取决于氧化速率,并且因此,氮浓度取决于绝缘层之厚度变化。尤其,包括用作为闸极绝缘层的薄绝缘层之电晶体临界变化可有效的降低。
申请公布号 TW200421492 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW093103873 申请日期 2004.02.18
申请人 高级微装置公司 发明人 威斯妥 卡斯汀;葛瑞克 法可;赫曼 卢兹
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国