半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

〔课题〕提供一种利用有机绝缘层材料之半导体装置及半导体装置之制造方法，不仅可达成低介电常数之需求，且可于制程中避免膜层剥离等不良情形的发生。〔解决手段〕包括：于半导体基材301形成无机材料层302之步骤；于无机材料层302上形成含矽之中间层303之步骤；及于中间层303上形成含氟之有机材料层304之步骤。其中，有机材料层304可为氟化丙炔层。而且，无机材料层302系选自由SiO2层、SiN层、SiC层、SiOC层、SiCN层与SiON层所组成之族群。093104552-p01.bmp